完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張原銘 | en_US |
| dc.contributor.author | 莊振益 | en_US |
| dc.contributor.author | 戴鴻名 | en_US |
| dc.contributor.author | 王浩偉 | en_US |
| dc.contributor.author | 曾文綬 | en_US |
| dc.contributor.author | 高斌栩 | en_US |
| dc.contributor.author | 張樂融 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:57Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:11:57Z | - |
| dc.date.issued | 2013-04-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | B82Y040/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103294 | - |
| dc.description.abstract | 一種自組式金屬奈米島陣列之製作方法，係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程，以形成一金屬奈米島陣列。利用此種製作方法，僅需單一濺鍍製程，即可完成金屬奈米島陣列的製作，相較於習知，不僅可有效減少繁瑣之製程步驟，更可進一步地節約能源、電力及製作成本。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 自組式金屬奈米島陣列之製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201315674 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
文件中的檔案：
若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。
Loading...