非揮發性半導體記憶體裝置

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林鴻志	en_US
dc.contributor.author	林哲民	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:01Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:01Z	-
dc.date.issued	2012-12-16	en_US
dc.identifier.govdoc	G11C016/12	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/8247	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L027/115	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103343	-
dc.description.abstract	本發明提供一種非揮發性半導體記憶體裝置,具有共用背閘極的獨立雙閘極SONOS記憶胞陣列的非揮發性記憶體結構,可應用於三維積成的快閃記憶體上。此種結構由於獨立雙閘極的控制,具有改善短通道效應、高寫入或抹移除效率,及有效避免讀取干擾等操作特性上的優點,藉由共用背閘極以及無接面的特性,可大幅簡化製程。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	非揮發性半導體記憶體裝置	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201250694	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。