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dc.contributor.author王朝勳en_US
dc.contributor.author李鎮宇en_US
dc.contributor.author郭浩中en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:04Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:04Z-
dc.date.issued2012-09-01en_US
dc.identifier.govdocH01L033/62zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103392-
dc.description.abstract本發明揭露一種半導體發光元件,其包含:基板,具有第一表面及一第二表面;第一半導體導電層,設置在基板之第一表面上;插入層,設置在第一半導體導電層上;主動層,設置在插入層上;第二半導體導電層,設置在主動層上;第一電極,設置在第二半導體導電層上;及第二電極,設置在基板之第二表面上,且其第二電極之電性與第一電極之電性相反。由於插入層係為具有層寬能隙的材料層,可以同時作為電子阻擋層與電洞注入層,以此插入層取代電子阻障層,不僅能夠使價電帶的能障降低,讓電洞更容易注入主動層內而與電子復合發光,且能阻檔電子溢流,以增加半導體發光元件的發光效率。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title半導體發光元件zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201236221zh_TW
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