完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 郭治群 | en_US |
| dc.contributor.author | 葉國良 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:05Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:05Z | - |
| dc.date.issued | 2012-08-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | G06F017/50 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103400 | - |
| dc.description.abstract | 一種參數萃取方法,用以萃取一半導體元件的新增通道寬度,其步驟包括:提供一第一多閘指元件及一第二多閘指元件,兩者的閘指數目不相同;進行一去嵌化動作後,量測第一多閘指元件之第一有效電容値以及第二多閘指元件之第二有效電容値;根據第一與第二有效電容値對應於第一與第二多閘指元件的閘指數目的直線關係,以求得一斜率;執行三維電容模擬以計算半導體元件的雜散電容値;提供一長通道元件,並量測其閘極電容値,以求得一通道單位面積電容値;以及利用斜率、雜散電容値以及通道單位面積電容値,以計算得到半導體元件之新增通道寬度。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半導體元件之參數萃取方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201232311 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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