標題: 離子感測元件
作者: 余沛慈
陳炳茂
張家華
徐敏翔
黃展宏
郭振豪
公開日期: 16-三月-2012
摘要: 本發明主要提供一種離子感測元件,包含有一可導電基底結構;以及複數凸設在該可導電基底結構上且與該可導電基底結構電性連接之離子感測奈米柱。每一離子感測奈米柱具有一離子敏感性外表面。該離子敏感性外表面具離子選擇性而可在待測溶液中選擇性地吸附待測離子以產生一對應於該待測離子濃度的表面電位能。
官方說明文件#: G01N027/26
URI: http://hdl.handle.net/11536/103484
專利國: TWN
專利號碼: 201211529
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201211529.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。