一種形成鍺半導體表面保護層的方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	劉柏村	en_US
dc.contributor.author	黃震鑠	en_US
dc.contributor.author	黃羿霖	en_US
dc.contributor.author	鄭斯璘	en_US
dc.contributor.author	施敏	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:11Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:11Z	-
dc.date.issued	2012-03-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/3105	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C014/14	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103490	-
dc.description.abstract	本發明揭露一種形成鍺半導體表面保護層的方法,首先於矽晶圓上進行磊晶製程以形成鍺半導體層;再形成二氧化矽層於該鍺半導體層上以做為一閘極介電絕緣膜;通入超臨界流體至該二氧化矽層以及該鍺半導體層的界面而使該界面形成界面保護層;形成鋁薄膜於該二氧化矽層上以成為金氧半導體電容器的上電極,且以該熱蒸鍍法形成該鋁薄膜於該鍺半導體層的底部以做為該金氧半導體電容器的一下電極。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	一種形成鍺半導體表面保護層的方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201209917	zh_TW
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