完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳健章 | en_US |
| dc.contributor.author | 鄭裕庭 | en_US |
| dc.contributor.author | 許倫豪 | en_US |
| dc.contributor.author | 任楷 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:19Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:19Z | - |
| dc.date.issued | 2011-06-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103593 | - |
| dc.description.abstract | 一種控制催化金屬晶粒形成之方法，利用催化金屬薄膜在熔融狀態下形成金屬液滴，並於具有疏水特性之斜面上發生滾動，進而聚合形成單一催化金屬晶粒於斜面底部，藉此，可以精確地控制催化金屬晶粒形成的位置，同時，可藉由調整催化金屬薄膜的厚度與斜面之尺寸來形成適當大小的催化金屬晶粒，以成長具有單一與定位特性之一維奈米結構，並藉以運用於半導體積體電路製程。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 控制催化金屬晶粒形成之方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201119935 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
