以單晶氧化物作為基板成長纖鋅礦結構半導體非極性ｍ面磊晶層之方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張立	en_US
dc.contributor.author	何焱騰	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:25Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:25Z	-
dc.date.issued	2011-04-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/20	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C30B029/16	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103623	-
dc.description.abstract	本發明係有關於一種以單晶氧化物作為基板成長非極性m面磊晶層之方法,包括:提供一具有鈣鈦礦結構之單晶氧化物;選擇該單晶氧化物之一平面作為一基板;以及在該基板上以氣相沉積法生長一具有纖鋅礦結構半導體之非極性m面磊晶層。本發明亦提供一種以前述方法成長之具有非極性m面之磊晶層。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	以單晶氧化物作為基板成長纖鋅礦結構半導體非極性ｍ面磊晶層之方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201112311	zh_TW
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