完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 周政偉 | en_US |
dc.contributor.author | 陳蔚宗 | en_US |
dc.contributor.author | 冉曉雯 | en_US |
dc.contributor.author | 蔡娟娟 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:29Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:12:29Z | - |
dc.date.issued | 2011-02-01 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L021/324 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H01L029/786 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103647 | - |
dc.description.abstract | 一種薄膜電晶體之製造方法,首先提供一基板,並於基板的側面上依序形成一介電層及一氧化物薄膜。接著,對氧化物薄膜照射紫外波段光源以進行光退火製程,而氧化物薄膜吸收紫外波段光源並產生熱能,以最佳化薄膜鍵結型態、修正薄膜可能存在之不穩定鍵結、或減少懸浮鍵結,以達修復低溫成長所得之氧化物薄膜缺陷的目的。最後,執行一光罩製程,而於氧化物薄膜上形成源極與汲極。藉由以上的製造程序以製造高效能的薄膜電晶體結構。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 薄膜電晶體之製造方法及其結構 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 201104753 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |