標題: 薄膜電晶體之製造方法及其結構
作者: 周政偉
陳蔚宗
冉曉雯
蔡娟娟
公開日期: 1-二月-2011
摘要: 一種薄膜電晶體之製造方法,首先提供一基板,並於基板的側面上依序形成一介電層及一氧化物薄膜。接著,對氧化物薄膜照射紫外波段光源以進行光退火製程,而氧化物薄膜吸收紫外波段光源並產生熱能,以最佳化薄膜鍵結型態、修正薄膜可能存在之不穩定鍵結、或減少懸浮鍵結,以達修復低溫成長所得之氧化物薄膜缺陷的目的。最後,執行一光罩製程,而於氧化物薄膜上形成源極與汲極。藉由以上的製造程序以製造高效能的薄膜電晶體結構。
官方說明文件#: H01L021/324
H01L021/336
H01L029/786
URI: http://hdl.handle.net/11536/103647
專利國: TWN
專利號碼: 201104753
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201104753.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。