| 標題: | 一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構 |
| 作者: | 李威儀 黃信雄 陳奎銘 葉彥顯 |
| 公開日期: | 16-十月-2010 |
| 摘要: | 一種成長III-V族氮化物薄膜之方法及其結構，其係利用氫化物蒸氣相磊晶方法來進行。此方法至少包含在介於900℃至950℃間之第一成長溫度，且以每分鐘0.5℃至10℃之一升溫速度，緩慢地於基板上磊晶成長一升溫氮化物層，直至溫度升溫至介於1000℃至1050℃間之第二成長溫度。本發明之升溫氮化物層，其晶格品質會隨著膜層高度而緩慢變化，因而能消除藍寶石基板與氮化鎵層之間因晶格不匹配而造成的應力。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/318 C30B029/38 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103685 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201037766 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
