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dc.contributor.author李威儀en_US
dc.contributor.author陳振芳en_US
dc.contributor.author江振豪en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:40Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:40Z-
dc.date.issued2010-08-16en_US
dc.identifier.govdocH01L021/318zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103705-
dc.description.abstract一種具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法,包括在基板上形成複數成核層;以及於該成核層上形成非極性三族-氮化物層,其中,各該複數成核層係獨立選自下式(I)之氮化物:AxB1-xN (I) 式中,A和B係選自B、Al、Ga、IN或Tl之不相同的元素,且0≦x≦1。該複數成核層可有效減緩應力、減少晶格位差、阻擋差排延伸並降低差排密度,故可形成表面平坦且結晶品質佳之三族-氮化物層。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201030849zh_TW
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  1. 201030849.pdf

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