完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 李威儀 | en_US |
dc.contributor.author | 陳振芳 | en_US |
dc.contributor.author | 江振豪 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:40Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:12:40Z | - |
dc.date.issued | 2010-08-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L021/318 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103705 | - |
dc.description.abstract | 一種具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法,包括在基板上形成複數成核層;以及於該成核層上形成非極性三族-氮化物層,其中,各該複數成核層係獨立選自下式(I)之氮化物:AxB1-xN (I) 式中,A和B係選自B、Al、Ga、IN或Tl之不相同的元素,且0≦x≦1。該複數成核層可有效減緩應力、減少晶格位差、阻擋差排延伸並降低差排密度,故可形成表面平坦且結晶品質佳之三族-氮化物層。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 201030849 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |