標題: | 具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法 |
作者: | 李威儀 陳振芳 江振豪 |
公開日期: | 16-八月-2010 |
摘要: | 一種具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法,包括在基板上形成複數成核層;以及於該成核層上形成非極性三族-氮化物層,其中,各該複數成核層係獨立選自下式(I)之氮化物:AxB1-xN (I) 式中,A和B係選自B、Al、Ga、IN或Tl之不相同的元素,且0≦x≦1。該複數成核層可有效減緩應力、減少晶格位差、阻擋差排延伸並降低差排密度,故可形成表面平坦且結晶品質佳之三族-氮化物層。 |
官方說明文件#: | H01L021/318 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103705 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201030849 |
顯示於類別: | 專利資料 |