含氮化合物半導體層缺陷之處理方法

標題:	含氮化合物半導體層缺陷之處理方法
作者:	李威儀葉彥顯吳尹豪余諮宜
公開日期:	1-五月-2014
摘要:	本發明揭露一種含氮化合物半導體層缺陷之處理方法，包含以下的步驟：提供一基板；一含氮化合物半導體層形成於基板上，於含氮化合物半導體層具有貫穿式線缺陷；以及利用蝕刻氣體以執行蝕刻步驟以移除在含氮化合物半導體層之貫穿式線缺陷，使得含氮化合物半導體層無任何貫穿式線缺陷的產生，以提升元件之效能。
官方說明文件#:	H01L021/3065
URI:	http://hdl.handle.net/11536/103720
專利國:	TWN
專利號碼:	I436422
顯示於類別：	專利資料

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