具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林鴻志	en_US
dc.contributor.author	蘇俊榮	en_US
dc.contributor.author	徐行徽	en_US
dc.contributor.author	李冠樟	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:45Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:45Z	-
dc.date.issued	2010-05-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/336	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L029/772	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103754	-
dc.description.abstract	一種具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法，其包含有一基底；一位於基底上的側閘極；一覆蓋於基底與側閘極上的介電層；一位於側閘極之側邊的懸浮式奈米線通道，其與介電層間具有一氣隙；以及一源極電極與一汲極電極，其係設置於介電層上且分設於懸浮式奈米線通道的兩端。藉由側閘極之靜電力對懸浮式奈米線通道之吸附或分離，來達到快速改變等效側閘極介電層厚度，而使元件在開關狀態上快速切換或改變通道之起始電壓。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201017769	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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