完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 刁維光 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳建仲 | en_US |
| dc.contributor.author | 鐘賢文 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳進興 | en_US |
| dc.contributor.author | 宋啟瑞 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:46Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:46Z | - |
| dc.date.issued | 2010-03-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/042 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/0216 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103778 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係揭露一種凹槽式染料敏化太陽能電池結構及其製造方法,首先提供一鈦金屬板,且鈦金屬板表面具有至少一凹槽,再於凹槽中形成一絕緣層,接著於鈦金屬板表面形成複數二氧化鈦單元,二氧化鈦單元由複數個二氧化鈦奈米管所排列組成,且凹槽位於相鄰之二氧化鈦單元之間,之後將一光敏染料吸附於二氧化鈦單元上,再來於二氧化鈦單元與絕緣層上形成一透明導電薄膜,最後充填一電解液於透明導電薄膜、二氧化鈦單元與絕緣層所包圍的空間中,本發明不但能增加電子的傳輸效率,進而提高光電轉換效率,又可提高半導體層之均一性。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 凹槽式染料敏化太陽能電池及其製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201011926 | zh_TW |
| 顯示於類別: | 專利資料 | |
