| 標題: | 發光二極體結構及其製造方法 |
| 作者: | 張俊彥 楊宗熺 |
| 公開日期: | 16-十一月-2009 |
| 摘要: | 本發明係提供一種發光二極體（LED）結構，該發光二極體係包含一四族半導體構成之基板，一AlN成核層，形成於該四族基板上，一GaN磊晶層，形成於該AlN成核層上，一分散式布拉格反射鏡（DBR）多層結構，形成於該圖型化之GaN磊晶層上，以及一LED作用層結構，形成於該DBR多層結構上。 |
| 官方說明文件#: | H01L033/00 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103810 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 200947750 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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