利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極／高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	荊鳳德	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:48Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:48Z	-
dc.date.issued	2009-11-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/8238	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103811	-
dc.description.abstract	本發明提出一種利用新穎的自動對準低溫超淺接面製造具有極低臨界電壓（Vt）金屬閘極／高介電常數（κ）材質之互補金氧半場效電晶體(CMOSFETs)之方法，其中該方法係採用與超大型積體電路（VLSI）相容之前閘極製程。當等效氧化層厚度（EOT）為1.2奈米時，p型及n型金氧半導體（MOS）分別測得5.3及4.1eV之良好有效功函數、+0.05及0.03V之低臨界電壓、90及243cm 2 /Vs之高遷移率以及在85℃下小於32mV之低偏壓溫度不穩定性(10MV/cm，1hr)。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極／高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200947622	zh_TW
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