完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 朝春光 | en_US |
dc.contributor.author | 陳蓉萱 | en_US |
dc.contributor.author | 楊大緯 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:52Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:12:52Z | - |
dc.date.issued | 2009-08-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L035/34 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103851 | - |
dc.description.abstract | 本發明係揭露一種奈米熱電裝置的製造方法,提供至少一模板,而該模板具有一組奈米孔洞,在模板底部形成一基板之後,將一半導體之熔融金屬液注入該組奈米孔洞中,以形成一組半導體奈米線,再來去除該基板,以得到一半導體奈米線陣列,最後利用一金屬導體以串聯方式連結至少二半導體奈米線陣列,形成熱電元件,此熱電元件係具有較高的熱電轉換效率。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 奈米熱電裝置的製造方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 200935635 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |