於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張俊彥	en_US
dc.contributor.author	楊宗	en_US
dc.contributor.author	沈詩國	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:56Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:56Z	-
dc.date.issued	2009-04-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/20	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L051/00	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103898	-
dc.description.abstract	本發明為一種於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法。首先,提供一半導體基板,其半導體基板上具有一清潔表面;再形成一氮化鎵奈米柱緩衝層;覆蓋成長形成一氮化鎵磊晶層於氮化鎵奈米柱緩衝層上,藉以形成三族氮化物半導體層於半導體基板上。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200917337	zh_TW
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