標題: | 磁性薄膜對液晶分子之水平及垂直配向方法 |
作者: | 趙如蘋 吳信穎 |
公開日期: | 1-四月-2009 |
摘要: | 一種磁性薄膜對液晶分子之水平及垂直配向方法,係利用一直流離子濺鍍裝置(Direct-current Ion Sputter)所生成之透明磁性薄膜,可提供液晶分子幾近垂直排列之狀態。而在經由傳統摩刷處理後之透明磁性薄膜,則可更進一步提供有預傾角之水平或垂直排列之狀態。因此,藉由控制該透明磁性薄膜之成膜條件可改變其磁特性,再由控制其摩刷條件可改變其對液晶之預傾角大小及配向模式,因而可增加其應用範圍。本發明不僅製程手續簡便,並且與傳統之直流或交流電漿源設備共用亦同樣具有高透光度、硬度及絕緣性等特性。除了可降低其成本外,該透明磁性薄膜本身具有之磁性,更無須額外之配向處理程序即可達到非接觸式(Non-contact)多重區域(Multi-domain)配向之效果。 |
官方說明文件#: | G02F001/1337 C23C014/36 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103904 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 200914951 |
顯示於類別: | 專利資料 |