完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 黃泓文 | en_US |
| dc.contributor.author | 盧廷昌 | en_US |
| dc.contributor.author | 邱清華 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
| dc.contributor.author | 王興宗 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:58Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:58Z | - |
| dc.date.issued | 2008-12-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103933 | - |
| dc.description.abstract | 本發明為一種利用光電化學(PEC)氧化技術形成具有奈米柱狀結構(Nano Rod)之發光二極體技術,首先在發光二極體的表面鍍上一層薄膜金屬層,經熱處理後形成金屬顆粒遮罩,進行蝕刻沒有遮罩保護的部分,再將金屬遮罩移除以形成奈米柱狀結構。接著將形成奈米柱狀結構的發光二極體進行光電化學氧化,即通過一定電壓並照射汞燈,故除正型半導體材料外,材料之表面積均可形成一氧化層,最後再鍍上金屬層,進行導通正型半導體材料以形成具有奈米柱狀結構之發光二極體。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種利用奈米柱狀結構提升發光二極體光輸出效率之方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200849650 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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