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dc.contributor.author黃泓文en_US
dc.contributor.author盧廷昌en_US
dc.contributor.author邱清華en_US
dc.contributor.author郭浩中en_US
dc.contributor.author王興宗en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:58Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:58Z-
dc.date.issued2008-12-16en_US
dc.identifier.govdocH01L033/00zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103933-
dc.description.abstract本發明為一種利用光電化學(PEC)氧化技術形成具有奈米柱狀結構(Nano Rod)之發光二極體技術,首先在發光二極體的表面鍍上一層薄膜金屬層,經熱處理後形成金屬顆粒遮罩,進行蝕刻沒有遮罩保護的部分,再將金屬遮罩移除以形成奈米柱狀結構。接著將形成奈米柱狀結構的發光二極體進行光電化學氧化,即通過一定電壓並照射汞燈,故除正型半導體材料外,材料之表面積均可形成一氧化層,最後再鍍上金屬層,進行導通正型半導體材料以形成具有奈米柱狀結構之發光二極體。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title一種利用奈米柱狀結構提升發光二極體光輸出效率之方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber200849650zh_TW
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  1. 200849650.pdf

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