一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李威儀	en_US
dc.contributor.author	黃信雄	en_US
dc.contributor.author	曾虹諭	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:58Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:58Z	-
dc.date.issued	2008-11-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/306	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103939	-
dc.description.abstract	本發明於氮化鎵層上形成介電層,利用曝光以及顯影蝕刻製程使該介電層形成條狀或點狀之圖形,並以該介電層作為後續氮化鎵層進行側向成長(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩,在氮化鎵層上方長成氮化鎵厚膜,接著以濕蝕刻方式將介電層移除,並蝕刻介電層上方之氮化鎵厚膜,以形成所需之特定形狀。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200842967	zh_TW
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