完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 顏國錫 | en_US |
| dc.contributor.author | 冉曉雯 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃振昌 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳建勳 | en_US |
| dc.contributor.author | 葉峻銘 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉薄寬 | en_US |
| dc.contributor.author | 古國欣 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:59Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:59Z | - |
| dc.date.issued | 2008-10-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/318 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L051/40 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103950 | - |
| dc.description.abstract | 一種低漏電之氮化鋁介電層的製造方法,利用鋁鈀、氮氣與氬氣濺鍍氮化鋁薄膜作為高疏水性的介電層,此氮化鋁介電層具低閘極漏電及高介電係數等特質,適合作為薄膜電晶體的閘極絕緣層,而本發明利用調整沉積薄膜時的氣體混合比例,來抑制氮化鋁介電層的漏電,而可在低溫的條件下成長高品質的氮化鋁介電層,並可製作出低電壓的高效能電晶體。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 低漏電之氮化鋁介電層的製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200839874 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
