標題: | 氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用 |
作者: | 顏國錫 冉曉雯 黃振昌 陳建勳 葉峻銘 劉薄寬 古國欣 |
公開日期: | 1-Oct-2008 |
摘要: | 一種氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用,乃提出具有高疏水性的氮化鋁薄膜,其具有高的水滴接觸角以及低的表面能,而利於成長疏水性薄膜,構成良好匹配之氮化鋁疏水薄膜結構,並適合作為有機薄膜電晶體的閘極介電層,以降低疏水性有機半導體薄膜與氧化鋁薄膜之間的介面缺陷,且兼具低閘極漏電及高介電係數等特質。 |
官方說明文件#: | G02F001/136 H01L029/786 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103951 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 200839392 |
Appears in Collections: | Patents |
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