標題: 垂直式有機電晶體及其製造方法
作者: 孟心飛
洪勝富
趙宇強
公開日期: 16-六月-2008
摘要: 本發明提出一種垂直式有機電晶體及其製造方法,此種垂直式有機電晶體乃是在基板上方垂直設有射極、柵極與集極,而射極與柵極之間、多孔洞之柵極與集極之間為有機半導體層,其載子通道的長度將可簡單的由有機半導體層之厚度所決定,並使得集極電流可以由射極與柵極孔洞間的電位差所貢獻出的空間電荷電流所決定,藉以達到利用柵極電壓來有效控制集極電流之目標,且本發明垂直式有機電晶體係具有簡單製程,並無須採用光微影蝕刻技術。
官方說明文件#: H01L029/732
URI: http://hdl.handle.net/11536/103985
專利國: TWN
專利號碼: 200826290
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 200826290.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。