垂直式有機電晶體及其製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	孟心飛	en_US
dc.contributor.author	洪勝富	en_US
dc.contributor.author	趙宇強	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:02Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:02Z	-
dc.date.issued	2008-06-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/732	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103985	-
dc.description.abstract	本發明提出一種垂直式有機電晶體及其製造方法,此種垂直式有機電晶體乃是在基板上方垂直設有射極、柵極與集極,而射極與柵極之間、多孔洞之柵極與集極之間為有機半導體層,其載子通道的長度將可簡單的由有機半導體層之厚度所決定,並使得集極電流可以由射極與柵極孔洞間的電位差所貢獻出的空間電荷電流所決定,藉以達到利用柵極電壓來有效控制集極電流之目標,且本發明垂直式有機電晶體係具有簡單製程,並無須採用光微影蝕刻技術。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	垂直式有機電晶體及其製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200826290	zh_TW
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