閘極控制場發射三極元件及該元件之製作方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	曾俊元	en_US
dc.contributor.author	李佳穎	en_US
dc.contributor.author	李思毅	en_US
dc.contributor.author	林鵬	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:07Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:07Z	-
dc.date.issued	2008-01-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01J029/02	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/26	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/513	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104025	-
dc.description.abstract	本發明關於低溫下製備具有高長寬比之氧化鋅奈米棒之方法,其可與半導體製程進行整合,可獲得一具有閘極控制之三極場發射元件。該方法主要包括:提供一具有經過定義元件區域之半導體基板;於該經過定義元件區域上分別沉積一介電層及一導電層;於該介電層及導電層上定義出發射體陣列所在位置;以水熱法成長氧化鋅奈米棒於該發射體陣列;及以濕蝕刻法除去非發射體陣列所在位置之部分而獲得閘極控制場發射三極元件。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	閘極控制場發射三極元件及該元件之製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200802485	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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