完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author周政偉en_US
dc.contributor.author陳蔚宗en_US
dc.contributor.author冉曉雯en_US
dc.contributor.author蔡娟娟en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:13:10Z-
dc.date.available2014-12-16T06:13:10Z-
dc.date.issued2014-11-21en_US
dc.identifier.govdocH01L021/324zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/336zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/786zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/104041-
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title薄膜電晶體之製造方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI462183zh_TW
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. I462183.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。