在矽（110）基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	羅廣禮	en_US
dc.contributor.author	簡昭欣	en_US
dc.contributor.author	楊宗	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:14Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:14Z	-
dc.date.issued	2007-09-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/04	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L029/772	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104057	-
dc.description.abstract	本發明係提供一種在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構,其係包括一P^-型矽(110)基板、二離子植入區用於源極與汲極、一壓縮應變矽鍺通道層與一閘極結構,其中,在P^-型矽(110)基板上成長應變矽鍺電子通道層,以使得電子在【1-10】晶格方向上的傳導有效質量降低,提高電子在【1-10】方向上的傳導速度。因此,本發明係在矽(110)基板上可製作出高電子遷移率的N型金氧半電晶體。本發明所提出的N型金氧半電晶體還可以配合矽(110)基板上之高速P型金氧半電晶體以形成高性能之互補式金氧半電晶體。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	在矽（110）基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200735344	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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