多波長發光元件之奈米粒結構及其製法

Abstract

本發明提供一種具有奈米粒之多波長發光元件結構及製法,主要特徵係該發光元件結構具有多層堆疊主動層,該主動層可為量子井、單異質或雙異質接面結構;該主動層之每一對堆疊層包含低能隙位能井層4與高能隙位能障層3,該發光元件中之奈米粒5,係成長於多層堆疊主動層中較低能隙之位能井層4內;該每一奈米粒所發光波長可以藉由控制奈米粒之元素組成、奈米粒之尺寸及具有量子效應之奈米粒基態或激發態之能量躍遷,而獲得一種(含)以上之發光波長。該含奈米粒主動層之發光奈米粒所發射之波長可以為單一發光波長、兩種具互補色發光波長或三種三原色以上發光波長,以製作成多波長(包含白光光源)之發光元件;該結構更可以外加螢光體方式,利用上述該含奈米粒主動層之發光波長激發一種(含)以上螢光波長之螢光體,其中奈米粒所發光之波長可參與或不參與螢光體之螢光波長配色,組成具有多波長、白光或全彩之發光元件。