降低化學氣相沉積銅膜電阻率及提高銅膜Cu（111）／Cu（200）晶向比之電漿處理製程

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳茂傑	en_US
dc.contributor.author	林成利	en_US
dc.contributor.author	陳鵬森	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:25Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:25Z	-
dc.date.issued	2006-11-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/205	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/513	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104135	-
dc.description.abstract	本發明關於一種新穎的半導體製程，其特徵在於基板的電漿前置處理及／或後續的銅膜退火處理，利用此項處理步驟可以沉積出具有低電阻率及Cu(111)／Cu(200)高晶向比的化學氣相沉積銅膜，而改善化學氣相沉積銅膜之特性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	降低化學氣相沉積銅膜電阻率及提高銅膜Cu（111）／Cu（200）晶向比之電漿處理製程	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200639927	zh_TW
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