由金氧半場效電晶體臨界電壓與熱效應電壓所組成之參考電壓電路

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	洪崇智	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:28Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:28Z	-
dc.date.issued	2006-09-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/765	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104159	-
dc.description.abstract	本發明係揭露一種由金氧半場效電晶體臨界電壓與熱效應電壓所組成之參考電壓電路。本發明以現有的能隙電壓架構為基礎，並使用了工作於弱反轉層的場效電晶體代替傳統的雙載子電晶體，以產生與溫度係數正相關之電流，再由金氧半場效電晶體臨界電壓產生另一與溫度係數負相關之電流，結合以上兩個電流而產生一不隨溫度變化而改變之穩定參考電流，再將此電流通過一電阻，以產生一與溫度係數完全不相關之參考電壓。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	由金氧半場效電晶體臨界電壓與熱效應電壓所組成之參考電壓電路	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200631130	zh_TW
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