完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張國明 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊文誌 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:31Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:31Z | - |
| dc.date.issued | 2006-05-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/473 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/473 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104195 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係為一以快速升溫方式成長之氧化層，利用快速升溫爐(RTP)系統，將溫度快速升溫到900度後，以不同氣流速率的氮氣與氧氣通入RTP系統中，形成一高氮低氧濃度的環境，進行15秒的氮氧化製程，可於矽晶圓上成長出厚度僅為1 nm的氮氧化矽薄膜，其漏電流可降低至0.1 A／cm^2，比傳統的RTO oxide漏電流低約1～2個次序(orders)，並具有較佳的可靠度，可應用於晶圓及半導體等相關產業。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 以快速升溫方式成長之氧化層 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200614386 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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