完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author朝春光en_US
dc.contributor.author陳建仲en_US
dc.contributor.author陳蓉萱en_US
dc.contributor.author郭金國en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:13:31Z-
dc.date.available2014-12-16T06:13:31Z-
dc.date.issued2006-03-16en_US
dc.identifier.govdocC25D011/04zh_TW
dc.identifier.govdocC25D011/04zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/104203-
dc.description.abstract本發明提出一種具陣列式奈米孔洞之氧化鋁薄膜的製造方法,首先提供一商用鋁基材,將商用鋁基材經過退火處理,再經過電解拋光處理,以使鋁基材表面呈現鏡面效果,並接著進行陽極處理,使鋁基材表面上形成一含有奈米級之數孔洞的氧化鋁薄膜,且孔洞呈現陣列式排列,再來進行熱處理,使鋁基材產生氧化反應,而使部分較小孔洞被產生氧化反應之氧化物因自我擴散效應填滿,使得孔洞均一化,最後再進行擴孔處理,以使孔洞擴張。本發明可簡化製程、便於控制製造過程之操作,並可在同時降低成本下,在氧化鋁薄膜上得出均一孔徑且具陣列式排列之奈米孔洞分佈。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title具陣列式奈米孔洞之氧化鋁薄膜的製造方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber200609384zh_TW
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 200609384.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。