完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 蕭智文 | en_US |
| dc.contributor.author | 羅正忠 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳昶維 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:32Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:32Z | - |
| dc.date.issued | 2006-02-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | C23C018/16 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C018/16 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104209 | - |
| dc.description.abstract | 本發明關於利用液相沉積法以成長具有高介電常數之絕緣膜，特別是二氧化鉿絕緣層之方法，包括：(a)將二氧化鉿(HfO2)粉末加入氫氟酸(HF)溶液中，形成氫氟鉿酸鹽(HxHfyFz)溶液，前於低溫下加以攪拌溶解，使成為飽和溶液；(b)加入去離子水於該飽和溶液中，使其成為過飽和溶液；(c)將矽基板置入該過飽和溶液中，由於化學逆反應，可沉積高介電常數二氧化鉿(HfO2)薄膜於該矽基板上。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 以液相沈積成長二氧化鉿薄膜之方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200606278 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
