統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Effect of Single Grain Boundary Position on Surrounding-Gate Polysilicon Thin Film Transistors | 113 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Effect of Single Grain Boundary Position on Surrounding-Gate Polysilicon Thin Film Transistors | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000261434900259.pdf | 36 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 8 |
| 俄羅斯聯邦 | 2 |
| 巴西 | 1 |
| 法國 | 1 |
| 日本 | 1 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Kensington | 3 |
| Menlo Park | 3 |
| Edmond | 2 |
| Saint Petersburg | 2 |
| Hanoi | 1 |
| Paris | 1 |
| Zhengzhou | 1 |