| 标题: | 利用晶圆接合方式剥离无遮罩层悬浮生长之氮化镓磊晶层制造方法 |
| 作者: | 吴耀铨 林沛彦 彭显智 |
| 公开日期: | 1-六月-2005 |
| 摘要: | 本发明系一种利用晶圆接合方式剥离无遮罩层悬浮生长之氮化镓磊晶层制造方法，系同时利用可供氮化镓成长之晶种从有限的区域进行磊晶(selective area growth)与无遮罩层悬浮生长腾空于基材之上。因基材(substrate)与氮化镓晶种层之热膨胀系数不同，藉由配合退火(anneal)过程与晶圆接合(wafer bonding)技术来达到分离氮化镓磊晶层与磊晶基板，或氮化镓磊晶层基板转移之目的。可使所分离之磊晶基板不受转移过程伤害可重复使用，达到降低成本之功效，并可达到将高品质氮化镓磊晶层转移至各类型基板，除了可供给各种用途使用外也可同时解决现存基板所带来制程或使用上之各种问题(例如不导电、不易切割、不易散热等等¨)。 |
| 官方说明文件#: | H01L021/20 H01L021/20 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/104258 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | 200518194 |
| 显示于类别： | Patents |
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