結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	許鉦宗	en_US
dc.contributor.author	陳振嘉	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:42Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:42Z	-
dc.date.issued	2014-01-21	en_US
dc.identifier.govdoc	G01N033/50	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104265	-
dc.description.abstract	本發明係揭露一種結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統。此感測元件包含一矽奈米線閘極二極體、一頓化層以及一微流道。頓化層包覆此矽奈米線蕭特基二極體且具有一經修飾之表面，微流道與頓化層接合。當一待測樣品透過該微流道接觸此經修飾之表面時，矽奈米線閘極二極體係相對應地產生一電性訊號，如電流值、電阻值或電導值變化，藉此此電性訊號之變化以檢測待測樣品之存在。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I424160	zh_TW
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