標題: 砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法
作者: 李承士
張翼
公開日期: 16-一月-2005
摘要: 本發明砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法,係將砷化鎵元件背面金屬化金屬由金改為銅,由於銅的阻值較低,且散熱與機械強度亦較金優異。因此,以銅作為金屬化金屬之元件,可改善元件的散熱、機械強度、導電度,更可增進元件的特性及可靠度。並藉由鎢(W)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)等薄膜作為擴散阻障層,有效阻擋銅易擴散入砷化鎵基材而改變元件特性之問題。
官方說明文件#: H01L021/203
H01L021/203
URI: http://hdl.handle.net/11536/104281
專利國: TWN
專利號碼: 200503078
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