應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構

Abstract

本案乃關於利用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長的方法與其產生之結構，其中擇區生長之步驟包含：提供一第一基板，並於該第一基板上形成一第一遮蔽層；以一黃光微影技術處理該第一遮蔽層以形成複數個區域於該第一基板。接著以一緩衝溶液對該複數個特定區域進行一第一蝕刻以形成一第二遮蔽層於該第一基板，再以一化學蝕刻液對該第一基板與該第二遮蔽層進行一第二蝕刻以形成複數個尖型結構於該第一基板上。此後可分兩方式進行，方式一為：先塗覆一金屬觸媒於該複數個尖型結構，接著以該複數個尖型結構壓印於一第二基板，最後再將被壓印之該第二基板進行奈米碳管生長；方式二則為：先塗附一金屬觸媒於一第三基板，再以該複數個尖型結構壓印該第三基板以使該複數個尖型結構分別帶有一金屬觸媒球；最後再將該第一基板進行奈米碳管生長。