一種利用非晶矽及氧化層堆疊形成奈米級超淺接面之製程

Abstract

本發明提供一種奈米級MOS技術中之超淺接面的形成方法，使用習知的離子佈植及快速退火技術，但無需低能量佈植機。離子透過一非晶矽覆蓋層植入接面而進行DIA(Diffusionfromimplantedamorphoussilicon，由植入的非晶矽而擴散)；在退火時，此非晶矽層則成為一表面固態擴散源。在非晶矽層下沉積一層薄氧化層作為蝕刻阻擋層。這種非晶矽–氧化物的雙層結構能輕易除去非晶矽層，並提供良好的製程控制與元件可靠度。利用非晶矽層作為擴散源而形成接面，可以減少佈植所造成的缺陷，形成無缺陷的超淺接面。