完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 侯拓宏 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃俊嘉 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:14:01Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:14:01Z | - |
| dc.date.issued | 2014-01-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/861 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/329 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104475 | - |
| dc.description.abstract | 本發明揭示一種二極體元件，其包括：一二極體薄膜，其具有一第一表面及一第二表面，且包括：一第一導電區域，提供電流密度均勻的電流傳導，且該第一導電區域的成份包含一第一氧化物；及一第二導電區域，其包含複數個電流通道，提供電流密度不均勻的電流傳導，且該電流通道的成份包含一第二氧化物；其中，該第一氧化物不同於該第二氧化物；當一電流傳導於該第一表面與該第二表面之間時，該第二導電區域所流過的直流電流密度大於該第一導電區域的10倍以上；一第一電極，其係形成於該第一表面上；及一第二電極，其係形成於該第二表面上。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 二極體元件及其製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I422042 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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