一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	唐士軒	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:14:17Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:14:17Z	-
dc.date.issued	2013-12-11	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/778	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/336	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104620	-
dc.description.abstract	一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法，特別用於半導體產業之半導體元件製程，其係利用超真空化學氣相沉積在矽基板上成長一層鍺磊晶層，在於其上成長變形電子遷移率電晶體結構，在此結構中，鍺磊晶層之功用為防止矽晶片在使用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)成長變形電子遷移率電晶體結構(MHEMT)時產生氧化物而影響電晶體元件結構的特性，其後藉由變形的結構以阻擋成長鍺磊晶層於矽晶片上時所產生的差排及缺陷，以達到降低元件厚度及減少製作成本之功效。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I419326	zh_TW
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