完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 李佳祐 | en_US |
| dc.contributor.author | 王朝勳 | en_US |
| dc.contributor.author | 邱鏡學 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:14:49Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:14:49Z | - |
| dc.date.issued | 2014-11-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/16 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/22 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/02 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104930 | - |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I459592 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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