具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	蕭佑霖	en_US
dc.contributor.author	呂榮淇	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:14:50Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:14:50Z	-
dc.date.issued	2013-11-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/20	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L029/205	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104953	-
dc.description.abstract	一種具有氮化鎵層的多層結構基板之製法，其係先在承載板上形成具有複數開孔之網狀層，並於該開孔內的承載板上依序形成緩衝層、三層不同鋁濃度之氮化鋁鎵層與氮化鎵層。本發明之三層不同鋁濃度之氮化鋁鎵層係能有效釋放應力、減少氮化鎵層表面裂痕與控制內部缺陷，因此可形成較大面積、較大厚度、無裂痕且較高品質的氮化鎵層，進而有利於高效能電子元件的製作。本發明復提供一種具有氮化鎵層的多層結構基板。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I414004	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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