統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Dislocation reduction in GaN grown on stripe patterned r-plane sapphire substrates | 117 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Dislocation reduction in GaN grown on stripe patterned r-plane sapphire substrates | 0 | 3 | 0 | 3 | 2 | 3 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 11 |
| 加拿大 | 3 |
| 巴西 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 日本 | 1 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Buffalo | 3 |
| Menlo Park | 3 |
| Ottawa | 3 |
| Kensington | 2 |
| Fairfield | 1 |
| Hanoi | 1 |
| Los Angeles | 1 |
| Morro Da Fumaça | 1 |