ナノワイヤチャネルを有する半導体装置の製造方法およびこの装置を用いた半導体装置の製造方法

Abstract

【課題】ナノワイヤチャネルを有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に第１ＴＥＯＳ酸化膜と、第１中間材料層と、第２ＴＥＯＳ酸化膜によって形成されたスタック構造を形成し、スタック構造をパターニングすることでチャネル領域を定義し、チャネル領域の一部の第１中間材料層を除去することで、チャネル領域のスタック構造の側面に凹部を形成し、基板とスタック構造上に半導体層を形成して凹部にはめ込み、半導体層をパターニングすることでソース領域とドレイン領域を定義し、またソース領域とドレイン領域の間にあるチャネル領域において一部を重ね合わせる。ソース領域とドレイン領域と凹部の外にある半導体層を除去する。スタック構造を除去することによって、凹部の半導体層を露出させ、チャネルを形成する。ゲート酸化膜を成膜してチャネルを覆い、ゲート絶縁膜をゲート酸化膜に成膜する。【選択図】図２Ｄ