完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 盧廷昌 | en_US |
| dc.contributor.author | 黄▲キ▼閔 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
| dc.contributor.author | 王興宗 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:23Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:23Z | - |
| dc.date.issued | 2013-06-20 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/308 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/306 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105816 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】半導体光学装置において良好な均一性を有する空気媒質層の製造方法を提供する。【解決手段】基板４０上に、ＧａＮ（窒化ガリウム）薄膜４２と、ＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる犠牲層４４１と、窒素化合物を含む半導体層４６と、からなる積層膜を形成した後、酸性溶液に浸すことで一部の犠牲層を取り除き、ＧａＮ（窒化ガリウム）薄膜４２及び窒素化合物を含む半導体層４６の間に残留した犠牲層４４１とその周囲の空間に空気媒質層４４２を有する半導体光学素子４を形成する。【選択図】図５ | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 空気媒質層を有する半導体光学装置の製造方法及び空気媒質層の形成方法（Ａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｏｐｔｉｃａｌｄｅｖｉｃｅｈａｖｉｎｇａｉｒｍｅｄｉａｌａｙｅｒａｎｄｔｈｅｍｅｔｈｏｄｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇｔｈｅａｉｒｍｅｄｉａｌａｙｅｒ） | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 2013123025 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
