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DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorファン-チュン チェンen_US
dc.contributor.authorシュ-チェン リンen_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:23Z-
dc.date.available2014-12-16T06:16:23Z-
dc.date.issued2013-06-17en_US
dc.identifier.govdocH01L031/10zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/105817-
dc.description.abstract【課題】暗電流を引き下げ、それによりフォトダイオードデバイスの検出能を引き上げると同時に、良好な光感応及び外部量子効率を維持できるようにし、さらに、現有の無機感光体装置に代替することで、製品コストを引き下げる。【解決手段】基板10と、基板10において形成される透明導電性フィルム12と、透明導電性フィルム12において形成される導電性ポリマー層14と、導電性ポリマー層14において形成される有機活性層16と、有機活性層16において形成される電荷ブロッキング層18と、電荷ブロッキング層18において形成される陰極金属20を含むフォトダイオードデバイスの形成方法。【選択図】図1zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title検出能を高めるフォトダイオードデバイス及びその形成方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryJPNzh_TW
dc.citation.patentnumber2013120928zh_TW
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